IXTH1N200P3 | |
---|---|
Nomor bagian | IXTH1N200P3 |
Pabrikan | IXYS Corporation |
Deskripsi | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
Kuantitas Tersedia | 2520 pcs new original in stock. Permintaan Saham & Kutipan |
Model ECAD | |
Lembar data | |
IXTH1N200P3 Price |
Permintaan Harga & Waktu Timbal Online or Email us: Info@ariat-tech.com |
Informasi Teknis IXTH1N200P3 | |||
---|---|---|---|
Nomor Bagian Produsen | IXTH1N200P3 | Kategori | Produk Semikonduktor Diskrit |
Pabrikan | IXYS Corporation | Deskripsi | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247 |
Paket / kasus | Tube | Kuantitas Tersedia | 2520 pcs |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | Vgs (Max) | ±20V |
Teknologi | MOSFET (Metal Oxide) | Paket Perangkat pemasok | TO-247 (IXTH) |
Seri | - | Rds Pada (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 500mA, 10V |
Power Disipasi (Max) | 125W (Tc) | Pengemasan | Tube |
Paket / Case | TO-247-3 | Suhu Operasional | -55°C ~ 150°C (TJ) |
mount Jenis | Through Hole | Kapasitansi Masukan (Ciss) (Max) @ VDS | 646pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5nC @ 10V | FET Jenis | N-Channel |
Fitur FET | - | Drive Voltage (Max Rds On, Min RDS Aktif) | 10V |
Tiriskan untuk Sumber Tegangan (Vdss) | 2000V (2kV) | Current - Continuous Drain (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
Download | IXTH1N200P3 PDF - EN.pdf |
Stok IXTH1N200P3 | Harga IXTH1N200P3 | IXTH1N200P3 Elektronik | |||
Komponen IXTH1N200P3 | Persediaan IXTH1N200P3 | IXTH1N200P3 Digikey | |||
Pemasok IXTH1N200P3 | Pesan IXTH1N200P3 Online | Pertanyaan IXTH1N200P3 | |||
Gambar IXTH1N200P3 | Gambar IXTH1N200P3 | IXTH1N200P3 PDF | |||
Lembar Data IXTH1N200P3 | Unduh Lembar Data IXTH1N200P3 | Pabrikan IXYS Corporation |
Bagian terkait untuk IXTH1N200P3 | |||||
---|---|---|---|---|---|
Gambar | Nomor bagian | Deskripsi | Pabrikan | Dapatkan penawaran | |
IXTH1N100 | MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO-247 | IXYS | |||
IXTH20N55A | IXYS New | IXYS | |||
IXTH19P20 | IXYS New | IXYS | |||
IXTH1N450HV | 2500V TO 4500V VERY HI VOLT PWR | IXYS | |||
IXTH20N55 | IXYS New | IXYS | |||
IXTH19P20A | IXYS New | IXYS | |||
IXTH1N170DHV | MOSFET N-CH | IXYS Corporation | |||
IXTH19P15 | IXYS New | IXYS | |||
IXTH200N10T | MOSFET N-CH 100V 200A TO-247 | IXYS | |||
IXTH200N085T | MOSFET N-CH 85V 200A TO-247 | IXYS | |||
IXTH20N50D | MOSFET N-CH 500V 20A TO-247 | IXYS | |||
IXTH1N300P3HV | 2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF | IXYS | |||
IXTH200N075T | MOSFET N-CH 75V 200A TO-247 | IXYS | |||
IXTH19N45A | IXYS New | IXYS | |||
IXTH19N50 | IXYS New | IXYS | |||
IXTH1N250 | IXYS | ||||
IXTH19N50A | IXYS New | IXYS | |||
IXTH19N45 | IXYS New | IXYS | |||
IXTH1N200P3HV | MOSFET N-CH 2000V 1A TO-247HV | IXYS | |||
IXTH19P15A | IXYS New | IXYS |
Berita
LebihUni Swedia jika Metall mengumumkan pada 10 April bahwa pemogokan oleh Tesla Mechanics adalah salah satu sengketa tenaga kerja terpanjang di negara ini...
Baru -baru ini, produsen penyimpanan utama seperti Micron, Samsung, dan Western Digital telah mengumumkan kenaikan harga.Orang dalam industri menunjuk...
Di udara, fraksi volume normal kandungan oksigen adalah sekitar 20,9%, tetapi ketika kandungan oksigen jatuh di bawah nilai ini, itu dapat menyebabkan...
Baru -baru ini, dihadapkan dengan kemungkinan ASML (Holding ASML N.V.) merelokasi sebagian bisnisnya di luar negeri, pemerintah Belanda telah mengusul...
Pada kuartal pertama, industri semikonduktor mendekati akhir destocking, dengan harga memori terus naik.Apakah permintaan pasar sudah pulih?Kami telah...
produk baru
LebihSensor fotolistrik Seri PD30 Sensor fotolistrik miniatur Carlo Gavazzi memiliki kinerja tinggi dalam...
XC112 / XR112 Kit Evaluasi untuk Radar koheren Radar A111 Acconeer XC112 dan XR112 evaluasi kit deng...
MINAS Seri A6 Servo Drive dan Motor Keluarga MINAS A6 Panasonic menjamin operasi yang stabil dengan ...
UV LED Driver Board Papan driver LED UV RayVio untuk seri XE dan XP1 dari emitor UV-C Papan driver...
Industrial dan Extended Test DDR SDRAM Perangkat DDR SDRAM milik Insignis menjamin operasi pada suhu...
E-mail: Info@ariat-tech.comHK TEL: +00 852-30501966MENAMBAHKAN: Rm 2703 27F Ho King Comm Center 2-16,
Fa Yuen St MongKok Kowloon, Hong Kong.